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国家存储器基地落地武汉东湖新技术开发区

【电子网】讯

  传闻许久的国家存储器战略方案最终定案,由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北省集成电路产业投资基金股份有限公司、国开发展基金有限公司、湖北省科技投资集团有限公司共同出资建设的国家存储器基地即将落地武汉东湖新技术开发区。项目总投资将达240亿美元。3月28日在武汉东湖存储器基地举行启动仪式。

  从投资规模来看,这次国家存储器大战略中的产能规模预计20-30万片(按照10k产能,2D NAND-3D NAND 约7-9亿美元的投资预估),而主要产品也并非之前传言的主要发展DRAM方案,而是重点发展3D NAND,兼具一些2D NAND和DRAM产品。据悉,该项目技术以自研为主,其他关键技术来源目前还处于谈判阶段,可能合作的对象包括美光、IMEC等企业和机构。

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